半导体薄膜测量功能特点

为了更方便的研究高温条件下材料的导电性能，半导体薄膜测量系统采用直排四探针测量原理，可以测量硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻，按照单晶硅物理测试方法标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的。

半导体薄膜测量仪采用的是近红外光（NIR）来测量膜层厚度，因此可以测试一些肉眼看是不透明的膜层（ 比如半导体膜层） 。980nm波长型号，F3-s980，专门针对低成本预算应用。F3-s1310针对于高参杂硅应用。F3-s1550则针对较厚膜层设计。

功能特点：             

1、可以测量高温、真空、气氛下薄膜方块电阻和薄层电阻率；

2、可以分析方块电阻和电阻率ρv随温度T变化的曲线；

3、可以自动调节施加在样品的测试电压，以防样品击穿；

4、可以与美国Keithley2400源表配套测量半导体材料；

5、可以通过USB传输数据，数据格式是Excel格式。

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